TXRF(全反射X-射線螢光分析)

TXRF（全反射X-射線螢光分析）是X–射線利用極低角度照射拋光的樣品表面，X-射線的的入射角度（通常為0.05°）低於基板和樣品最外表面層的臨界角。從表面原子會發射出元素特性的螢光光子。

TXRF是一種靈敏度高的表面分析技術，所以TXRF在分析半導體晶片表面之金屬汙染方面是最佳選擇。

產業應用

技術限制

優點

分析規格

偵測訊號：來自晶片表面的螢光X-射線

偵測元素：S-U

偵測限制條件：10⁹ - 10¹² at/cm2

深度解析度：30-80A（分析深度）

影像/mapping：可選

橫向解析度/ 偵測尺寸：~10 mm

應用範圍