分析技術

AES(Auger電子能譜)是一種利用高能量電子束作為激發源的高靈敏度表面分析技術。

AFM(原子力顯微鏡)，提供原子或近原子解析度的表面形貌圖像，能夠定量樣品的表面粗糙度到＂Å＂等級。除了提供表面圖像之外，AFM也可以提供形態的定量測量，如高度差和其他尺寸。另外，磁力顯微鏡（MFM）是AFM一種應用，能夠繪製樣品的磁域圖。

EBSD（電子背向散射繞射）是針對分析樣品結晶性能特性的一種技術。通過這種技術，可以得到晶粒大小，晶粒取向，取向差，變形，結構和晶粒的長寬比等所有的特點。

EDS（能量色散X-射線光譜）是一種可以與SEM（掃描電子顯微鏡），TEM（透射電子顯微鏡）和STEM（掃描透射電子顯微鏡）配合使用的分析技術。

FIB（聚焦離子束）儀器使用聚焦良好的離子束對感興趣的樣品作修改與取得圖像。FIB主要是在通過SEM、STEM和TEM成像後，取得非常精確的樣品橫截面或是執行電路修改。此外，FIB可以偵測來自離子束或電子束的發射電子，用於直接成像。

FTIR(傅立葉紅外光譜)，是一種顯示分子振動的光譜，其目的是鑑定或辨別有機材料的特性，例如聚合物、潤滑劑、黏合劑和清洗劑。少數的無機化合物也可以使用FTIR來進行分析。

GC-MS(氣相色譜質譜)是分析和定量有機揮發性和半揮發性化合物的分析技術。

固體樣品使用GDMS（輝光放電質譜）測量分析，於Ar電漿輝光放電中將陰極固體樣品表面電離或濺射中性粒子，再與電子碰撞而被釋放。

ICP（感應耦合電漿）分析技術可以定量測量材料的元素含量，範圍為ppt到wt%。只有C, H, O, N和鹵素不適用ICP測量。 固體樣品會被溶解或者消化在液體中，通常是酸性水溶液。

IGA（儀器氣體分析）測量氣體形成的元素（C，H，O，N，S）在固體樣品中的含量，濃度範圍從ppm到百分比。將固體樣品置於高溫爐快速加熱，進而將某些元素轉化為揮發性的型態，以分離並測量它們。

在LA-ICP-MS（鐳射剝蝕-感應耦合電漿質譜）中，樣品通過用脈衝雷射光束燒蝕後直接進行分析。產生的氣霧質被輸送到電感耦合氬電漿（ICP）的核心，產生約8000°C的溫度。

OP（光學輪廓測定）是一種非接觸式分析方法，來測量表面形貌的特性。典型的OP會提供表面的2D和3D圖像，大量的粗糙度統計數據以及特性尺寸。

Raman（拉曼光譜分析）可用於確定樣品的化學結構，並藉由測量分子振動來鑑定化合物，類似於傅立葉紅外光譜（FTIR），而拉曼具有更好的空間解析度，可以分析較小的樣品。

RBS（拉塞福背向散射）是一種用於薄膜成分分析的離子散射技術

SEM（掃描式電子顯微鏡）為樣品表面和近表面提供高解析度和長景深的圖像。

強化的SIMS二次離子質譜，使用40多台設備以提供服務具有最佳偵測極限和層結構識別的分析服務。

TEM/STEM（穿透式電子顯微鏡/掃描穿透式電子顯微鏡）是密切相關的技術，主要是使用電子束讓樣品成像

當外部溫度發生變化時，熱分析（TGA、DTA和DSC）會偵測原子間以及分子間和分子內的相互作用。在整個產業生命週期（研發、生產控制和故障分析）中，研究材料的物理性質是必要的。

TOF-SIMS（飛行式二次離子質譜）是將一次離子脈衝束聚焦在樣品表面上，在濺射過程中產生二次離子的表面分析技術

TXRF（全反射X-射線螢光分析）是X–射線利用極低角度照射拋光的樣品表面，X-射線的的入射角度（通常為0.05°）低於基板和樣品最外表面層的臨界角。

XPS（X-射線光電子光譜），也被稱為ESCA（化學分析電子光譜）主要是被用來確定定量的原子組成和化學，是一種使用取樣容積從表面延伸到約50–70Å深度的表面分析技術。

XRD（X-射線繞射分析）是一種功能強大的非破壞性分析技術，用於偵測晶體材料的特性。

XRF（X-射線螢光分析）是一種用於定量固體和液體樣品元素組成的非破壞性技術。

鏡面XRR（X-射線反射率），為XRD的相關技術，是一種廣泛應用在分析薄膜和多層結構特性的工具。

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