SIMS(二次離子質譜)
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二次離子質譜（SIMS）可檢測極低濃度的摻雜劑和雜質。 該技術提供了從幾埃 (Å) 到幾十微米 (µm) 的廣泛深度範圍內的元素深度剖面。 樣品表面用一束初級離子（通常是 O2+ 或者Cs+) 而在濺射過程中形成的二次離子使用質譜儀（四極桿、扇形磁場或飛行時間）進行提取和分析。 次級離子的濃度範圍可以從基質水平到亞 ppm 痕量水平。
EAG是SIMS分析的行業標準， 提供最佳檢測限，以及準確的濃度和層結構識別。 EAG 在 SIMS 領域的經驗和承諾的深度和範圍是無與倫比的。 EAG 擁有全球範圍最廣的二次離子質譜儀（超過 40 種），由非常合格的科學家組成。 EAG 還擁有世界上最大的離子注入和體摻雜標準參考材料庫，用於準確的 SIMS 量化。
SIMS的理想用途
- 摻雜和雜質深度剖析
- 薄膜（金屬，電介質，SiGe，III-V和II-VI材料）的成分和雜質測量
- 淺層植入物和超薄薄膜的超高深度分辨率輪廓分析
- 批量分析，包括 Si 中的 B、C、O 和 N
- 高精度匹配工藝工具，例如離子注入機或外延反應器
我們的強項
- 以ppm或更低的檢測靈敏度出色地檢測摻雜劑和雜質
- 深度剖面具有出色的檢測限和深度分辨率
- 小面積分析（1-10 µm）
- 檢測所有元素和同位素，包括H.
- 出色的動態範圍（高達6數量級）
- 在一些應用中可能的化學計量/組成
限制
- 有害
- 沒有化學鍵合信息
- 樣品必須是固體和真空兼容的
SIMS技術規格
- 檢測訊號： 二次離子
- 偵測限制條件： HU包括同位素
- 檢測限： > 1E10至1E16原子/厘米3
- 深度解析度： > 5Å
- 影像/mapping： 是
- 橫向解析度/ 偵測尺寸： ≥10μm（深度剖析）; 1μm（成像模式）
EAG 的 SIMS 科學家經過專門培訓，擅長了解客戶的分析需求並優化分析，以最有效地解決他們的顧慮和興趣。 今天，SIMS 分析用於幫助各行各業的客戶進行研發、質量控制、故障分析、故障排除和過程監控。 EAG 在整個過程中提供個性化服務，讓您全面了解 SIMS 實驗室測試結果。
所選元素的SIMS檢測限
