RBS(拉塞福背向散射)

RBS（拉塞福背向散射）是一種用於薄膜成分分析的離子散射技術。RBS的獨特是在於不使用標準品就可以定量。RBS使用高能量（MeV）的氦離子He²⁺（即α粒子）直接射向樣品，在特定的角度測量背向散射He²⁺的能量分布和產率。由於每個元素的散射截面都是已知的，因此能夠從所獲得的RBS光譜得到定量的成分深度分布，對薄膜而言是小於1μm厚。

EAG在使用RBS的Pelletron和Tandetron加速器來分析薄膜的領域上，具有世界一流的經驗。EAG擁有所有類型的半導體薄膜（包括氧化物、氮化物、矽化物、高K和低K介電質、金屬薄膜、化合物半導體和摻雜劑等等）的分析經驗，能夠達到快速的工作處理時間、精確數據以及高品質的個人服務。