LA-ICP-MS(鐳射剝蝕-感應耦合電漿質譜)

在LA-ICP-MS（鐳射剝蝕-感應耦合電漿質譜）中，樣品通過用脈衝雷射光束燒蝕後直接進行分析。產生的氣霧質被輸送到電感耦合氬電漿（ICP）的核心，產生約8000°C的溫度。ICP–MS中的電漿被用於產生離子，然後引入到質量分析器。根據荷質比，將離子分離收集，就可以測量並確定未知樣品的成分。ICP–MS對於元素具有極高的靈敏度。

對於雷射剝蝕法，任何類型的固體樣品都可以被燒蝕進行分析；沒有樣品的尺寸要求且無樣品製備程序。使用雷射剝蝕的化學分析所需的樣品量（μg）比溶液霧化（mg）還小。這種分析技術僅需非常少量的樣品量。此外，聚焦的雷射束對固體樣品中異質性的空間特性可以辨別分析，通常橫向和深度兩方面的解析度皆為μm。

對於利用GDMS、IGA、ICP-OES或LA-ICP-MS分析進行痕量元素分析來說：

EAG（紐約）--樣品送件表（英文，pdf）
EAG SAS（法國）--樣品送件表（英文，pdf）
EAG SAS（法國）--樣品送件表（法文，pdf）