TXRF(全反射X-射線螢光分析)是X–射線利用極低角度照射拋光的樣品表面,X-射線的的入射角度(通常為0.05°)低於基板和樣品最外表面層的臨界角。
從表面原子會發射出元素特性的螢光光子。
TXRF是一種靈敏度高的表面分析技術,所以TXRF在分析半導體晶片表面之金屬汙染方面是最佳選擇。
技術限制
- 不能偵測低原子量的元素(Li, Na, Al)
- 最佳偵測條件需要拋光表面
優點
- 痕量元素分析
- 調查分析
- 定量分析
- 非破壞性分析
- 自動化分析
- 全晶圓分析(最大300mm)
分析規格
偵測訊號:來自晶片表面的螢光X-射線
偵測元素:S-U
偵測限制條件:109 - 1012 at/cm2
深度解析度:30-80A(分析深度)
影像/mapping:可選
橫向解析度/ 偵測尺寸:~10 mm